RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2455
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL51264BA1339.16FD 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link