RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2648
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link