RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link