RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link