RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2508
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link