RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2823
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link