RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3158
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link