RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2856
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link