RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4084
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link