RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
29
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link