RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 29
    Около -7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.6 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.4 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 18.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 15.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2423 left arrow 3825

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
модули RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
модули RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
модули RAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
модули RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
модули RAM