RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3541
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link