RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
29
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link