RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link