RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
29
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link