RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4174
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link