Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 29

Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.6 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.7 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 17
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 21.6
Скорость записи, Гб/сек

9.0 17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 3702

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

модули RAM