RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3804
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link