RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
29
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link