RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3023
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link