RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
64
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2037
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link