RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9905665-009.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2494
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link