RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9905702-017.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link