RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9905702-029.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link