RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9965600-033.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
8.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1777
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link