RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link