RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2452
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link