Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Maxsun MSD416G26Q3 16GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 84

Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 12.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 7.0

Среднее значение в тестах

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Причины выбрать
Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 84
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 12.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 1486

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston XN205T-MIE 16GB

Kingston XN205T-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM