RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
64
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2197
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link