RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2833
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link