RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link