RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link