RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2679
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link