RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link