RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link