RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link