RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link