RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link