RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2316
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link