RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
78
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
78
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1602
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link