RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
46
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link