RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link