RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1922
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link