RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link