RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link