RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2565
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link