RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2432
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link