RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2879
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link