RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 0000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link