RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
62
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
41
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3006
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link