RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против AMD R744G2400U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
AMD R744G2400U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R744G2400U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2862
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link