RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
20.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
15.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3713
2925
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link