RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
20.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
15.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3713
2925
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link