RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2577
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link