RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
62
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
27
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2577
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link